以垂直异质结类型的忆阻器交叉阵列为例，其制备步骤如下：
第一：掩膜板设计
第二：利用掩膜板沉积/生长材料
第一步：通过掩膜板#1向衬底沉积电极1。
第二步：通过掩膜板#2向衬底沉积材料A，形成A/电极结构。
第三步：通过掩膜板#3向衬底沉积材料B，形成异质结BA电极结构。
第四步：通过掩膜板#4向衬底电极2，形成电极BA电极结构。
影响器件制备的因素：
1，掩膜板的对准误差：以上述忆阻器制备为例，更换掩膜板#1 至 #4过程中，掩膜板偏离预定位置的误差，是决定器件最小尺寸的关键因素之一。目前，商业化掩膜对准装置的误差为±5μm，但一个致命缺点是往往不能在高温下使用，且体积较大，不能放入大部分真空系统中。
2，掩膜板特征尺寸：特征尺寸包括缝隙宽度和圆半径等，一般由掩膜板加工过程决定，如激光功率和光斑大小等，掩膜板特征尺寸也是决定器件最小尺寸的重要因素之一。目前最先进的飞秒激光切割，特征尺寸可达1μm以下。
3，掩模板尺寸误差：由掩模板加工过程决定，特别是激光切割器的XY定位误差和重复定位误差。目前市面上主流光纤激光器的误差超过±10μm。
4，掩膜板和衬底之间的距离：会产生阴影效应，阴影效应会导致实际制备出来的器件尺寸比设计尺寸大。一般掩膜板和衬底之间的距离越小，阴影相应就越弱，反之则越明显。